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第7世代IGBT※1搭載 IPM※2 G1シリーズ

画像:第7世代IGBT ※1 搭載 IPM ※2 G1シリーズ

最新のIGBTチップの搭載で、汎用インバーター・サーボアンプ・エレベーターなどの産業用機器の低消費電力化・小型化・高信頼性を実現。6種類52品種の製品ラインアップで、幅広い用途や多様なニーズの産業用機器に最適です。

  • ※1IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor
  • ※2IPM:Intelligent Power Module

超小型 フルSiC※1DIPIPM※2

画像:超小型 フルSiC ※1 DIPIPM ※2 TM

新開発のSiC-MOSFET※3搭載により、従来製品比※4で電力損失を約75%低減し、業界トップクラス※5の低消費電力を実現することで、省エネ志向の強いエアコンの通年エネルギー消費効率向上に貢献します。

  • ※1SiC:Silicon Carbide:炭化ケイ素
  • ※2DIPIPM:Dual-In-Line Package Intelligent Power Module
  • ※3MOSFET:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
  • ※4超小型DIPIPM Ver.6シリーズ(Si品)PSS15S92F6(15A /600V)
  • ※52016年8月17日時点、当社調べ 

Ku帯※1 衛星通信地球局用GaN※2 HEMT※3

画像:Ku帯※1 衛星通信地球局用GaN ※2 HEMT ※3

トランジスタ構造の最適化による業界トップ※4の出力100Wの実現で、電力増幅器の部品点数の削減が可能となり、地球局の小型化に貢献。電力増幅器の高出力部各増幅段を当社製品で構成可能な製品ラインアップでKu帯 衛星通信地球局の多様なニーズにお応えします。

  • ※1周波数12GHz~18GHzのマイクロ波
  • ※2Gallium Nitride
  • ※3High Electron Mobility Transistor
  • ※42016年9月27日時点 当社調べ。Ku帯 衛星通信地球局用GaN HEMTにおいて

プロジェクター用639nm赤色高出力半導体レーザー

画像:プロジェクター用639nm赤色高出力半導体レーザー

レーザー素子の層構造や発光領域サイズの最適化により、業界トップ※1 の連続駆動光出力2.1Wと、電力変換効率約41%※2の高効率の実現により、高輝度が求められる大型プロジェクターの製品化に貢献します。

  • ※12016年12月14日時点、当社調べ
  • ※2ケース温度25℃、連続駆動光出力2.1W時

タッチパネル搭載産業用TFT液晶モジュール(6.5型VGA・8.4型SVGA/XGA・10.6型WXGA)

画像:タッチパネル搭載産業用TFT液晶モジュール(6.5型VGA・8.4型SVGA/XGA・10.6型WXGA)

厚さ5mmの保護ガラス上からの操作や最大10点までのマルチタッチ操作を実現。厚みのある耐熱手袋をはめた状態や水滴が付着した状態での操作などを可能にした投影型静電容量方式のタッチパネルです。耐衝撃性や耐水滴性が求められる屋外用途向けに最適です。

産業用カラーTFT液晶モジュール タフネスシリーズ(7.0型・8.0型WVGA)

画像:産業用カラーTFT液晶モジュール タフネスシリーズ(7.0型・8.0型WVGA)

従来製品比約7倍の高い耐振動性能(加速度6.8G)と、広い動作保証温度範囲(-40℃~+85℃)、超広視野角(上下左右170°)を実現。厳しい使用環境で使用する建設機械、農業機械や工作機械などの表示器の設置形態の多様化や高精細化に貢献します。


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