三菱電機株式会社は、次世代パワー半導体材料として期待されているSiC※1(炭化ケイ素)デバイスを適用した定格1200V/75Aのパワーモジュールを試作開発し、出力5kWの太陽光発電システム向けパワーコンディショナで国内最高※2の電力変換効率98.0%を実証しました。
※1: | SiC(Silicon Carbide):炭素とケイ素が1対1の化合物 |
※2: | 国内向けのパワーコンディショナにおいて。2011年1月現在、当社調べ |
主な開発成果
1. | SiCデバイスを用いたパワーコンディショナで電力変換効率98.0%を実証 ・ SiCデバイスのパワーモジュールを太陽光発電システム向けパワーコンディショナに搭載 ・ 単相200V/5kWのパワーコンディショナで国内最高の電力変換効率98.0%を実証 |
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2. | SiCデバイスを適用した1200V/75Aのパワーモジュールで電力損失を半減 ・ SiCのMOSFET※3とSBD※4を適用した定格1200V/75Aのパワーモジュールを開発 ・ Si(シリコン)デバイスのパワーモジュールに比べ、5kW定格出力時の電力損失を半減※5
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今後の展開
パワーコンディショナを構成する他の回路部品の損失低減を含め、さらなる損失低減と小型化を進め、高効率で小形なパワーコンディショナを早期に製品化して、低炭素社会の実現に貢献していきます。
特許
国内103件、海外35件 出願済
本開発成果の一部は、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO技術開発機構)の委託研究として実施したものです。
本開発成果の一部は、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO技術開発機構)の委託研究として実施したものです。