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ニュースリリース
世界最高効率の衛星搭載用C帯GaN HEMT増幅器を開発
ニュースリリース
掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。
2011年5月26日
半導体No.1108
衛星に搭載する送信機の省電力化と小型・軽量化に貢献
世界最高効率の衛星搭載用C帯GaN HEMT増幅器を開発
リリース全文(PDF:264KB)
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