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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2011年11月8日
半導体No.1116

ドレイン効率70%の高効率・低消費電力

業務無線機・特定小電力無線機用 7.2V動作MOSFET発売

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 三菱電機株式会社は、業務無線機や特定小電力無線機の電力増幅器に使用される送信出力1Wの7.2V動作MOSFET※1の新製品として、高効率・低消費電力を実現した「RD01MUS2B」を12月1日に発売します。

※1: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスタ

新製品の特長

1. 高効率・低消費電力で無線機の消費電力削減に貢献
動作時のドレイン効率※270%の高効率動作
待機時の消費電流を従来製品※3から60%削減となる40mAに低減
※2: 供給された電力の高周波出力への変換効率で、高いほど性能が優れる
※3: 当社従来製品「RD01MUS2」
2. 送信出力マージンが大きく取れ、余裕をもった無線機の設計が可能
送信出力を従来製品※3から14%改善となる1.6Wに向上
送信出力の向上により、余裕をもった無線機の設計が可能
3. 高いサージ耐量で無線機のサージ対策の簡易化が可能
内部構造の最適化により、ドレイン−ソース間のサージ※4耐量を従来比※32倍に強化
ゲート−ソース間にサージ保護用のダイオードを内蔵
※4: 静電気などに起因する外来の電流や高電圧ノイズ

発売の概要

製品名 形名 概要 サンプル価格
(税抜き)
サンプル
出荷開始日
月産台数
7.2V動作MOSFET RD01MUS2B 1.6W, 70%
@527MHz
60円 12月 1日 20万個
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第ニ部

TEL: (03)3218-4880 FAX: (03)3218-4862

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