ニュースリリース
掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。
三菱電機株式会社は、C帯※1衛星通信の地球局※2に使用される電力増幅器用「GaN※3 HEMT※4」の新製品として、業界最高出力※5の100Wおよび出力50Wの2機種のサンプル出荷を2012年1月10日に開始します。
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| ※1： |
周波数4 GHz〜8GHzのマイクロ波 |
| ※2： |
衛星通信で地上に設置された基地局 |
| ※3： |
Gallium Nitride：窒化ガリウム |
| ※4： |
High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ |
| ※5： |
2011年11月29日時点 当社調べ。衛星通信地球局用GaN HEMTにおいて |
| 1． |
高出力・高効率で電力増幅器の小型化に貢献
| ・ | 耐圧性に優れたGaNを採用し40Vの高電圧の動作を実現 |
| ・ | 出力電力100W（MGFC50G5867）および50W（MGFC47G5867）の高出力を実現 |
| ・ | 電力付加効率※6 43%以上の高効率を実現 |
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| ※6： |
供給された電力が出力信号に変換される効率。数値が高いほど効率が優れる。 |
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| 2． |
低ひずみ特性で高い信号品質に貢献
| ・ | 出力電力40W（46dBm）時のIM※7が−25dBcと低ひずみ特性を実現（MGFC50G5867） |
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| ※7： |
Inter Modulation：増幅器に2つの信号を同時入力した際に発生するひずみ。数値が低いほど高性能。 |
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| ※8： |
Heterostructure Field Effect Transistor：ヘテロ構造電界効果トランジスタ |
| 製品名 |
形名 |
概要 |
サンプル価格
（税抜き） |
サンプル
出荷開始日 |
| 出力電力 |
利得 |
| GaN HEMT |
MGFC50G5867 |
50dBm(100W) |
10dB |
60,000円 |
2012年
1月10日 |
| MGFC47G5867 |
47dBm(50W) |
10dB |
30,000円 |
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