ここから本文

ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2012年4月25日
開発No.1203

衛星通信地球局設備の小型・軽量化に寄与

14GHz帯で世界最高の出力100W GaN HEMT増幅器を開発

印刷用ページへ

　三菱電機株式会社はKu帯※1衛星通信に使用される14GHz帯で世界最高※2の100Wの出力電力が得られるGaN※3HEMT※4増幅器を開発しました。今回の開発により、衛星通信地球局※5などに使用される電力増幅器の小型・軽量化が可能になります。

  • ※1：周波数12.4 GHz〜18 GHzのマイクロ波。

  • ※2：2012年4月25日現在、当社調べ。

  • ※3：Gallium Nitride：窒化ガリウム。

  • ※4：High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ

  • ※5：衛星通信で地上に設置される基地局。

100W GaN HEMT増幅器

100W GaN HEMT増幅器

開発の特長

  1. 14GHz帯のGaN HEMT 増幅器で世界最高出力100Wを実現
    • ・素子微細化と低損失回路により14GHz帯用固体増幅器として世界最高※3出力の100Wを 実現
    • ・従来比でGaN では約2倍※6、GaAs※7では約4倍※8の高出力を実現
    • ※6：当社従来発表(IMS2011における学会発表)との比較。
    • ※7：Gallium Arsenide：ガリウムヒ素。
    • ※8：当社従来製品MGFK44Aとの比較。
  2. 複数増幅器の合成が不要になり、マイクロ波送信機の小型化に寄与
    • ・高出力化に必要だった複数の増幅器の合成が不要になりマイクロ波送信機の小型化に寄与
    • ・送信増幅器の大きさをおおよそ1/6に小型化可能に

開発の概要

　 出力 利得
今回 GaN HEMT増幅器 100W(50dBm) 8dB
従来(当社) GaN HEMT増幅器 62W(47.9dBm) 8dB
GaAs HFET増幅器※9 25W(44dBm) 5dB
  • ※9：Hetero Junctions Field Effect Transistor：ヘテロ接合電界効果型トランジスタ
お問い合わせ先
三菱電機株式会社　情報技術総合研究所

お問い合わせフォームはこちら

PDF形式のデータをご覧いただくには、アドビシステムズ社のAcrobat Reader（無料配布）が必要です。導入されていない方は左のアイコンをクリックして、Adobe Systemsのホームページからダウンロードしてください。なお、ダウンロード及びインストールに関するお問い合わせは、アドビシステムズまでお願いいたします。

ページトップに戻る