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ニュースリリース
シリコン基板上の高出力・高効率GaN増幅器を開発
ニュースリリース
掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。
2012年6月20日
開発No.1205
世界最高の電力変換効率を実現
シリコン基板上の高出力・高効率GaN増幅器を開発
リリース全文(PDF:234KB)
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