リリース全文（PDF：276KB）三菱電機株式会社は、衛星通信地球局の電力増幅器に使用される高周波デバイスの新製品として、業界トップレベルの出力50W・電力付加効率30％・線形利得9dBを実現した「Ku※1帯50W GaN HEMT※2」を10月1日に発売します。これにより電力増幅器を構成する高周波デバイスの数を半分にすることが可能で、衛星通信地球局の小型・軽量化に貢献します。
- ※1：周波数12GHz〜18GHzのマイクロ波
- ※2：Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor：窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ
Ku帯50W GaN HEMT「MGFK47G3745」
新製品の特長
- 高出力・高効率・高利得で電力増幅器の小型化に貢献
- ・耐圧性に優れたGaNを採用し24Vの高電圧動作することで出力電力50Wを実現
- ・電力付加効率※3 30%と従来品（MGFK44A4045）より10ポイント改善
- ・新たに開発した高耐圧ゲート構造とレイアウトの最適化により線形利得9dBの高利得を実現
- ※3：供給された電力が出力信号に変換される効率。数値が高いほど効率が優れる。
- 低ひずみ特性で高い信号品質に貢献
- ・出力電力20W（43dBm）時のIM3※4が−25dBcと低ひずみ特性を実現
- ※4：Inter Modulation：増幅器に2つの信号を同時入力した際に発生するひずみ。数値が低いほど高性能。
- ※5：Heterostructure Field Effect Transistor：ヘテロ構造電界効果トランジスタ
発売の概要
| 製品名 | 形名 | 概要 | サンプル価格 （税抜き） |
サンプル 出荷開始日 |
|
| 出力電力 | 線形利得 | ||||
| GaN HEMT | MGFK47G3745 | 47dBm(50W) | 9dB | 100,000円 | 10月1日 |
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第ニ部
TEL: (03)3218-4880 FAX: (03)3218-4862
PDF形式のデータをご覧いただくには、アドビシステムズ社のAcrobat Reader（無料配布）が必要です。導入されていない方は左のアイコンをクリックして、Adobe Systemsのホームページからダウンロードしてください。なお、ダウンロード及びインストールに関するお問い合わせは、アドビシステムズまでお願いいたします。
