三菱電機株式会社は、低電流での動作の比率が高い冷蔵庫などの小容量モーターをインバーター駆動するパワー半導体モジュールの新製品として、スイッチング素子に低電流領域のオン電圧が小さいMOSFET※1を採用したトランスファーモールド※2タイプの「超小型DIPIPM※3」を3月1日に発売します。
- ※1:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスター
- ※2:加熱加圧した樹脂を閉鎖された金型に注入し加圧成形する方法。量産性と信頼性に優れる。
- ※3:Dual-In-Line Package Intelligent Power Module:保護機能付き制御素子を内蔵したインテリジェントパワー半導体モジュール
新製品の特長
- 小容量インバーターの低消費電力化に貢献
- ・スイッチング素子にMOSFETを採用し、低電流領域のオン電圧を従来比約60%低減※4
- ・MOSFETの製造プロセス最適化によりリカバリー損失を低減
- ・回路最適化により制御ICの消費電力を低減
- ※4:0.5A、25℃での当社超小型DIPIPM「PS219B2」との比較
- 高放熱構造により高い信頼性を確保
- ・スイッチング素子の低損失化と放熱性の高い絶縁シート構造の採用により、温度上昇を抑制
- 最終製品の小型化・コスト低減に貢献
- ・高放熱構造により、最終製品の放熱対策を軽減
- ・電流制限抵抗付きBSD※5を内蔵し、外付けの部品数を削減可能
- ※5:Bootstrap Diode:基準電圧から他の電圧を作り出すブートストラップ回路用の高耐圧用ダイオード
発売の概要
製品名 | 形名 | 仕様 | サンプル価格 (税抜き) |
発売開始時期 |
MOSFET搭載 超小型DIPIPM |
PSM03S93E5/-A/-C | 3A/500V | 420円 | 3月1日 |
PSM05S93E5/-A/-C | 5A/500V | 520円 |
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第一事業部 パワーデバイス営業部
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