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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2013年11月25日
半導体No.1317

グローバル仕様のスマートフォン・タブレット端末の小型化に貢献

三菱電機「W-CDMA方式携帯端末用マルチバンド送信電力増幅器」発売のお知らせ

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 三菱電機株式会社は、スマートフォンやタブレットなどの携帯端末に使用される送信電力増幅器の新製品として、マルチバンド送信電力増幅器「BA012M1」を11月30日に発売します。

 本製品は、1つで日本・アジア・米国・欧州などで使用されている主要な4周波数帯およびW-CDMA・LTEなどの通信方式に対応できるため、電力増幅器部分の実装面積が大幅に低減し、携帯端末の小型化に貢献します。

 なお、本製品は「マイクロウェーブ展2013」(11月27〜29日、於:パシフィコ横浜)に出展します。

W-CDMA方式携帯端末用マルチバンド送信電力増幅器「BA012M1」

W-CDMA方式携帯端末用マルチバンド送信電力増幅器「BA012M1」

新製品の特長

  1. 主要な4種類の周波数帯に対応し、グローバル仕様の携帯端末の小型化に貢献
    • 広帯域設計により、1つで日本・アジア・欧州・北米などの主要4周波数帯※1すべてに対応
    • 従来は周波数帯ごとに4つの増幅器が必要であったため、実装面積が大幅に低減
    • 3.0mm×4.2mm×1.0mmの小型リードレスパッケージで、携帯端末の送信部の部品面積の大幅な省スペース化に貢献
    • ※1:Band1:2GHz帯、Band2:1.9GHz帯、Band5:0.8GHz帯、Band8:0.9GHz帯
  2. 高効率を実現し、携帯端末の低消費電力化に貢献
    • 高出力と低出力の2種類のパワーモードに対応
    • 最大出力において業界最高レベルの電力付加効率46%の高効率を実現し、送信部の消費電力を低減
  3. 周辺機能を内蔵することで外付け部品が不要
    • 集積性に優れたGaAs※2 BiFET※3を採用
    • 基準電圧発生器の内蔵により、外付け部品なしでデジタル信号による増幅器のオン・オフが可能
    • 方向性結合器の内蔵により、出力電力のモニタリングを容易に実現
    • ※2:ガリウム・ヒ素
    • ※3:Bipolar Field Effect Transistor:HBT(Hetero-junction Bipolar Transistor)とHEMT(High Electron Mobility Transistor)を一体集積した高周波用素子

発売の概要

製品名 形名 概要 サンプル
価格
(税抜き)
サンプル
出荷開始日
月産数
携帯端末用
マルチバンド
送信電力増幅器
BA012M1
動作周波数 824〜915MHz
1850〜1980MHz
出力電力 28.5dBm
電力付加効率 46%
500円 11月30日 300万個
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第ニ部

TEL: (03)3218-4880 FAX: (03)3218-4862

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