リリース全文（PDF：249KB） 三菱電機株式会社は、家電製品用パワー半導体モジュールの新製品として、SiC※1をトランジスタ部とダイオード部の両方に用いることにより、家電製品の低消費電力化・小型化に貢献する「超小型フルSiC DIPPFC TM※2（入力実効電流20A、耐圧600V）を7月16日に発売します。
本製品は「TECHNO-FRONTIER 2014第32回モータ技術展」（7月23〜25日、於：東京ビッグサイト）に出展します。
- ※1
Silicon Carbide：炭化ケイ素 - ※2力率改善回路を内蔵したトランスファモールドタイプのインテリジェントパワー半導体モジュール
超小型フルSiC DIPPFC
新製品の特長
- フルSiC化により低消費電力化・小型化に貢献
- ・トランジスタ部にSiC-MOSFET※3ダイオード部にSiC-SBD※4を搭載
- ・電力損失を約45％低減※5し、家電製品のエネルギー変換効率の改善に貢献
- ・SiC-SBD搭載によりリカバリー電流を削減し、低消費電力化とEMIノイズ低減を実現
- ・SiC-MOSFET搭載により最大40kHzの高周波スイッチングを実現し、リアクトルやヒートシンクなど周辺部品の小型化に貢献
- ・PFC※6回路および駆動ICの内蔵により実装面積の減少や配線パターンの簡略化など小型化に貢献
- ※3Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：半導体と金属の間に酸化膜を設け、その酸化膜の電界を制御して電流をオン・オフさせるトランジスタ
- ※4Schottky Barrier Diode：半導体と金属の接合部に生じるショットキー障壁を利用したダイオード
- ※5Si 素子を使用した場合との比較
- ※6Power Factor Correction：力率改善
- システムの設計簡素化に貢献
- ・当社製品「超小型DIPIPM TM」との同一パッケージにより、ヒートシンクの取り付けを簡素化
- ・PFC回路をインターリーブ動作させることにより、電流リプルを低減し、ノイズフィルター回路を簡素化
発売の概要
| 製品名 | 形名 | 概要 | サンプル価格 （税抜き） |
発売日 |
| フルSiC DIPPFC | PSF20L91A6-A | 600V／20Arms インターリーブ |
10,000円 | 7月16日 |
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第一事業部 パワーデバイス営業部
TEL: （03）3218-3239 FAX: （03）3218-2723
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