リリース全文（PDF：239KB）三菱電機株式会社は、移動通信システム基地局の電力増幅器に使用される高周波デバイスの新製品として、業界トップ※1 の高効率で基地局の小型・低消費電力化に貢献する「2.6GHz帯 第4世代移動通信システム基地局用220W GaN HEMT※2 」のサンプル提供を11月1日に開始します。
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2016年8月31日時点、当社調べ - ※2Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor：窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ
2.6GHz帯 第4世代移動通信システム基地局用220W GaN HEMT
「MGFS53G27ET1」
新製品の特長
- 業界トップのドレイン効率で、基地局の小型化・低消費電力化に寄与
- ・耐電圧に優れたGaNの採用とトランジスタ構造の最適化により、マクロセル基地局※3用として74％という業界トップの高いドレイン効率※4を実現
- ・高効率化により通信設備の冷却機能を簡略化でき、基地局の小型化・低消費電力化に寄与
- ※3移動体通信システムの通信エリアの呼称の一つで、通信エリアが半径数km～25km程度の広域なもの
- ※4パッケージ端での数値
- フランジレスパッケージにより電力増幅器の小型化に貢献
- ・フランジ※5レスパッケージの採用により取り付け面積を削減し、電力増幅器の小型化に貢献
- ※5ネジなどで固定するためにパッケージから鍔状に張り出た部分
- マクロセル基地局用製品のラインアップ拡大により多様なニーズに対応
- ・3.5GHz帯に加え、2.6GHz帯製品を新たにラインアップし、移動体通信システム基地局の多様なニーズに対応
発売の概要
| 製品名 | 用途 | 形名 | 概要 | サンプル 価格 （税抜き） |
サンプル 提供 開始日 |
||
| 動作 周波数 |
飽和出力 電力 |
最大 ドレイン効率 |
|||||
| 2.6GHz帯 第4世代移動通信 システム 基地局用 220W GaN HEMT |
マクロセル 基地局 |
MGFS53 G27ET1 |
2.5～ 2.7GHz |
53.4dBm （220W) |
74％ | 15,000円 | 11月1日 |
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第ニ部
TEL: (03)3218-4880 FAX: (03)3218-4862
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