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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2016年9月27日
半導体No.1612

業界トップの高出力で衛星通信地球局の小型化に貢献

「Ku帯 衛星通信地球局用GaN HEMT」ラインアップ拡大のお知らせ

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 三菱電機株式会社は、Ku帯※1 衛星通信地球局の電力増幅器に使用される高周波デバイスの新製品として、業界トップ※2 の出力100W品をはじめとする「Ku帯 衛星通信地球局用GaN HEMT※3」2品種のサンプル提供を10月1日から順次開始します。

  • ※1周波数12GHz〜18GHzのマイクロ波
  • ※22016年9月27日時点 当社調べ。Ku帯 衛星通信地球局用GaN HEMTにおいて
  • ※3Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor:窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ

Ku帯 衛星通信地球局用GaN HEMT左「MGFK50G3745」、右「MGFK48G3745」

Ku帯 衛星通信地球局用GaN HEMT
左「MGFK50G3745」、右「MGFK48G3745」

新製品の特長

  1. 業界トップの出力100Wにより、衛星通信地球局の小型化に貢献【MGFK50G3745】
    • トランジスタ構造の最適化により、Ku帯 衛星通信地球局用として業界トップの出力100Wを実現
    • 電力増幅器の部品点数を削減し、地球局の小型化に貢献
  2. 業界トップの高出力品など製品ラインアップの拡大により多様なニーズに対応
    • 100W・70W品を新たにラインアップし、Ku帯 衛星通信地球局の多様なニーズに対応
    • 電力増幅器の高出力部各増幅段を当社製品で構成することにより、デバイス個々の性能評価や連結・合成設計が不要となり、開発期間の短縮化に寄与
    • 電力増幅器の高出力部ドライバー段に当社従来品のリニアライザ※4 内蔵20W品(MGFG5H1503)を採用することで、電力増幅器の線形性を確保し低ひずみ化も実現
      • ※4電力増幅信号のひずみを補正する素子

発売の概要

製品名 用途 形名 概要 サンプル
価格
(税抜き)
サンプル
提供
開始日
動作
周波数
飽和出力
電力
線形
利得
Ku帯
衛星通信
地球局用
GaN HEMT
衛星通信
地球局
MGFK50G3745 13.75〜
14.5GHz
50.0dBm
(100W)
10.0dB 200,000円 2017年
1月1日
MGFK48G3745 48.3dBm
(70W)
10.0dB 100,000円 2016年
10月1日
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第ニ部

TEL: (03)3218-4880 FAX: (03)3218-4862

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