リリース全文（PDF：252KB）
三菱電機株式会社は、エアコンや太陽光発電などの電源システムの低消費電力化・小型化に貢献するパワー半導体の新製品として、SiC※1 を用いた「SiC-SBD※2」を3 月1 日から順次発売します。
- ※1
Silicon Carbide：炭化ケイ素 - ※2Schottky Barrier Diode：半導体と金属の接合部に生じるショットキー障壁を利用したダイオード
SiC-SBD「BD20060T」
SiC-SBD「BD20060S」
新製品の特長
- SiC の採用で、低消費電力化・小型化に貢献
- ・SiC を用いることでスイッチング損失が大幅に削減し、電力損失を約21%低減※3
- ・高速スイッチングが可能となり、リアクトルなど周辺部品の小型化に貢献
- ※3PFC 回路を内蔵した当社製パワー半導体モジュール「DIPPFCTM」に搭載のSi（シリコン）ダイオ
ードとの比較
- JBS 構造の採用により、高信頼性に寄与
- ・pn 接合とショットキー接合を組み合わせたJBS※4 構造を採用
- ・JBS 構造により高サージ耐量を実現することで、高信頼性に寄与
- ※4Junction Barrier Schottky
発売の概要
| 製品名 | 形名 | パッケージ | 概要 | サンプル価格 （税抜き） |
発売日 |
| SiC-SBD | BD20060T | TO-220 | 20A ／ 600V | 1,000円 | 3月1日 |
| BD20060S | TO-247 | 9月1日 （サンプル提供開始日： 3月1日） |
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第一事業部 パワーデバイス営業部
TEL: （03）3218-3239 FAX: （03）3218-2723
PDF形式のデータをご覧いただくには、アドビシステムズ社のAcrobat Reader（無料配布）が必要です。導入されていない方は左のアイコンをクリックして、Adobe Systemsのホームページからダウンロードしてください。なお、ダウンロード及びインストールに関するお問い合わせは、アドビシステムズまでお願いいたします。
