リリース全文（PDF：239KB）三菱電機株式会社は、Ka帯※1 衛星通信地球局の電力増幅器に使用される高周波デバイスの新製品として、業界トップレベル※2 の出力電力8Wと電力増幅信号の低ひずみ特性を実現した｢衛星通信地球局用Ka帯GaN※3 HEMT※4 MMIC※5｣を11月1日に発売します。高出力化と低ひずみ特性により、衛星通信地球局の小型化に貢献します。
- ※1
周波数26GHz～40GHzのマイクロ波 - ※22017年10月4日時点、当社調べ。衛星通信地球局用Ka帯GaN HEMT MMIC製品において
- ※3Gallium Nitride：窒化ガリウム
- ※4High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ
- ※5Monolithic Microwave Integrated Circuit：モノリシックマイクロ波集積回路
衛星通信地球局用Ka帯GaN HEMT MMIC「MGFG5H3001」
新製品の特長
- 業界トップレベルの出力電力により、衛星通信地球局の小型化に貢献
- ・高出力化に優れたGaNデバイスの採用とトランジスタ構造の最適化により、業界トップレベルの出力電力8Wを実現
- ・GaNデバイスの1チップ上に複数の増幅用トランジスタ・整合回路・リニアライザ※6 を搭載
- ・電力増幅器の最終段の部品合成数を削減し、衛星通信地球局の小型化に貢献
- ※6電力増幅信号のひずみを補正する素子
- 業界トップレベルの低ひずみ特性により、信号品質の向上と小型化に貢献
- ・従来外付けしていたリニアライザの内蔵により、業界トップレベルとなる電力増幅信号の低ひずみ特性を実現
- ・通信機器の信号品質の向上と、ひずみ補償回路の削減により地球局の小型化に貢献
- ラインアップ拡充で多様な衛星通信地球局に対応
- ・Ku帯※7 に加えKa帯製品のラインアップで、衛星通信地球局の多様な周波数のニーズに対応
- ※7周波数12GHz～18GHzのマイクロ波
発売の概要
| 製品名 | 形名 | 概要 | サンプル価格 （税抜き） |
発売日 | ||
| 動作 周波数 |
飽和出力 電力 |
線形 利得 |
||||
| 衛星通信地球局用 Ka帯 GaN HEMT MMIC |
MGFG5H3001 | 27.5 ～31.0GHz |
39.0dBm（8W) | 15.0dB | 90,000円 | 11月1日 |
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第ニ部
TEL: (03)3218-4880 FAX: (03)3218-4862
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