1200V SiC-SBD TO-247パッケージ
1200V SiC-SBD TO-247パッケージ
1200V SiC-SBD TO-247-2パッケージ
1200V SiC-SBD TO-247-2パッケージ

新製品の特長

  1. SiCの採用で、低消費電力化・小型化に貢献
    • SiCを用いることでSi（シリコン）と比べてスイッチング損失を大幅に削減し、電力損失を約21%低減※3
    • 高速スイッチングが可能となり、リアクトルなど周辺部品の小型化に貢献
    • ※3

      PFC回路を内蔵した当社製パワー半導体モジュール「DIPPFCTM」に搭載のSiダイオードとの比較

  2. JBS構造の採用により、高信頼性に寄与
    • pn接合とショットキー接合を組み合わせたJBS※4構造を採用
    • JBS構造により高サージ耐量を実現することで、高信頼性に寄与
    • ※4

      Junction Barrier Schottky

  3. さまざまな用途に対応する5製品をラインアップ
    • 一般的なTO-247パッケージに加え、絶縁距離を拡大したTO-247-2パッケージの採用により民生品をはじめ産業などのさまざまな用途に対応
    • AEC-Q101※5に準拠した製品（BD20120SJ）もラインアップし、車載用途にも対応
    • ※5

      Automotive Electronics Council：車載電子部品の品質規格

発売の概要

製品名 形名 パッケージ 概要 サンプル価格
（税抜き） 		サンプル
提供開始月 		発売月
1200V
SiC-SBD		 BD10120P TO-247-2 1200V/10A 600円 2019年
6月		 2020年
1月
BD20120P 1200V/20A 1,000円
BD10120S TO-247 1200V/10A 600円
BD20120S 1200V/20A 1,000円
BD20120SJ 1200V/20A
AEC-Q101		 1,000円 2020年
4月