SEMICON JAPAN

  • 半導体・電子デバイス
日時:
2024年12月11日(水)~13日(金) 10:00~17:00
場所:
東京ビッグサイト(東京国際展示場)
〒135-0063 東京都江東区有明3-11-1

GX社会の実現に貢献するパワー半導体の事業戦略、先端のSiCパワー半導体技術、今後市場拡大が期待されるxEV用パワー半導体などをご紹介します。

主な出展物

■パワー半導体(三菱電機ブース:パワーエレクトロニクスパビリオン 東3ホール No.3830)
 ①パワー半導体事業の取り組み
  三菱電機の重点成長事業の1つである「パワー半導体事業」についてご紹介します。
 ②パワー半導体ウエハ
  過去から最新のパワー半導体ウエハ(シリコン/SiC*)を展示します。
 ③SiCパワー半導体
  最新製品の「xEv用パワー半導体モジュール J3シリーズ」等を展示いたします。
*SiC:Silicon Carbide(炭化ケイ素)、シリコンと炭素を1:1で結合した化合物

■無料セミナー(TechSTAGE-ZEN 東7ホール)
 ①パワーエレクトロニクスセミナー「パワーデバイスメーカーが語る開発動向と今後の戦略」
  日時:12月11日(水)12時30分~14時00分(うち当社講演は13時30分~14時00分)
  当社議題:パワー半導体デバイス製造の鍵となるプロセス装置・技術について
  当社講演者:三菱電機 パワーデバイス製作所 Chief Expert 多留谷 政良

 ②パワーエレクトロニクスセミナー「パワーエレクトロニクス アプリケーションの最新動向」
  日時:12月11日(水)14時30分~16時10分(うち当社講演は14時30分~15時10分)
  当社議題:省エネに貢献するパワーデバイスの原理と最新動向
  当社講演者:三菱電機 先端技術総合研究所 先進パワーデバイス技術部 Chief Expert  西川 和康

■有料セミナー(会議棟607会議室およびオンライン(Zoom))
 ①STSパワーデバイスセッション「飛躍するパワーデバイス市況とWBGパワーデバイス技術の最前線」
  日時:12月13日(金)9時30分~11時30分(うち当社講演は10時50分~11時30分)
  当社議題:SiCパワーMOSFETの現状と今後の展開
  当社講演者:三菱電機 パワーデバイス製作所 開発部 今泉昌之
  参加費:有料 ※詳細は公式サイトでご確認ください。学生は無料。

■TOKUFASTbot(SEMICON STADIUM 東8ホール No.8612)
 SEMICON STADIUMにて「パズルキューブを最速で解くロボット『TOKUFASTbot』」を展示いたします。

当社出展関連サイト

当社出展場所

ホール番号:東3(三菱電機ブース)、東8(SEMICON STADIUM)
小間番号:3830(三菱電機ブース)、8612(SEMICON STADIUM)

開催概要

入場料
主催
展示会 公式サイト