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概要

独自のダイオード内蔵MOSFET^※2 と新規高放熱・高耐圧モジュールを採用。世界最高の定格出力密度を実現した6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発しました。
さらに、駆動周波数10kHzにおいても安定したインバーター動作をすることを確認しました。

技術ポイント

世界最高の定格出力密度の6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュール

従来のSiパワー半導体モジュールに比べて定格出力密度が1.8倍（9.3kVA/cm³）に向上。また損失を3分の1に低減し、想定動作周波数は4倍に向上しました。

高耐圧が求められる鉄道・電力などのパワーエレクトロニクス機器の小型化・省エネ化に貢献します。

独自のショットキーバリアダイオード内蔵SiC-MOSFET

各単位セルにショットキーバリアダイオードを埋め込んだ独自のSiC-MOSFETを開発。

MOSFETとダイオードを別々にモジュールに搭載する従来の方式に比べ半導体チップ総面積と、パワー半導体モジュールへの実装面積を大幅に削減しました。

高放熱・高耐圧小型パワー半導体モジュール

チップの発熱に対し、優れた熱伝導性と耐熱性を両立する絶縁基板と、信頼性の高い接合技術を開発。

高放熱・高耐圧の小型パワー半導体モジュールを実現しました。

高駆動周波数による出力波形の歪みを低減

新開発の6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを安定的に動作させるとともに、駆動周波数を高くすることで負荷電流波形が滑らかになることを実証しました。

駆動周波数10kHzでの安定動作確認

航空機電動化に向けたインバータの小型・軽量化を目指して駆動周波数10kHzでの連続動作を試み、安定動作することを実証しました。