MELSEC-QQ02HCPU 仕様
性能仕様
制御方式 | ||
入出力制御方式 | ||
プログラム言語 | シーケンス制御言語 | |
処理速度 | シーケンス命令 | LD X0 |
MOV D0 D1 | ||
コンスタントスキャン | ||
プログラム容量 | ||
メモリ容量 | プログラムメモリ(ドライブ0) | |
メモリカード(RAM)(ドライブ1) | ||
メモリカード(ROM)(ドライブ2) | ||
標準RAM(ドライブ3) | ||
標準ROM(ドライブ4) | ||
CPU共有メモリ | QCPU標準エリア | |
最大格納ファイル本数 | プログラムメモリ | |
メモリカード(RAM) | ||
メモリカード(ROM) | Flashカード | |
ATAカード | ||
標準RAM | ||
標準ROM | ||
インテリジェント機能ユニットパラメータ最大設定個数 | 初期設定 | |
リフレッシュ | ||
入出力デバイス点数 | ||
入出力点数 | ||
デバイス点数 | 内部リレー [M] | |
ラッチリレー [L] | ||
リンクリレー [B] | ||
タイマ [T] | ||
積算タイマ [ST] | ||
カウンタ [C] | ||
データレジスタ [D] | ||
リンクレジスタ [W] | ||
アナンシェータ [F] | ||
エッジリレー [V] | ||
ファイルレジスタ [R] | 標準RAM | |
SRAMカード(1Mバイト) | ||
SRAMカード(2Mバイト) | ||
Flashカード(2Mバイト) | ||
Flashカード(4Mバイト) | ||
ファイルレジスタ [ZR] | 標準RAM | |
SRAMカード(1Mバイト) | ||
SRAMカード(2Mバイト) | ||
Flashカード(2Mバイト) | ||
Flashカード(4Mバイト) | ||
リンク特殊リレー [SB] | ||
リンク特殊レジスタ [SW] | ||
ステップリレー [S] | ||
インデックスレジスタ [Z] | ||
ポインタ [P] | ||
割込みポインタ [I] | ||
特殊リレー [SM] | ||
特殊レジスタ [SD] | ||
ファンクション入力 [FX] | ||
ファンクション出力 [FY] | ||
ファンクションレジスタ [FD] | ||
リンクダイレクトデバイス | ||
インテリジェント機能ユニットデバイス | ||
ラッチ(停電保持)範囲 | ||
RUN/PAUSE接点 | ||
時計機能 | ||
許容瞬停時間 | ||
DC5V内部消費電流 | ||
外形寸法 | 高さ(H) | |
幅(W) | ||
奥行き(D) | ||
質量 |
ストアードプログラム繰返し演算 |
リフレッシュ方式 (ダイレクトアクセス入出力(DX,DY)の指定によりダイレクトアクセス入出力可) |
リレーシンボル語, ロジックシンボリック語, MELSAP3(SFC), MELSAP-L, ファンクションブロック, ストラクチャードテキスト(ST) |
34ns |
102ns |
0.5~2000ms(0.5ms単位で設定可) |
28Kステップ(112Kバイト) |
112Kバイト |
装着メモリカード容量分(最大2Mバイト) |
装着メモリカード容量分(Flashカード:最大4Mバイト,ATAカード:最大32Mバイト) |
128Kバイト |
112Kバイト |
8Kバイト |
28本 |
287本(Q2MEM-2MBS使用時) |
288本 |
512本 |
3本 |
28本 |
512個 |
256個 |
8192点(X/Y0~1FFF) |
4096点(X/Y0~FFF) |
デフォルト8192点(M0~8191)(変更可) |
デフォルト8192点(L0~8191)(変更可) |
デフォルト8192点(B0~1FFF)(変更可) |
デフォルト2048点(T0~2047)(低速タイマ/高速タイマの共用)(変更可) 低速タイマ/高速タイマは命令で指定 低速タイマ/高速タイマの計測単位はパラメータで設定 (低速タイマ:1~1000ms,1ms単位,デフォルト100ms) (高速タイマ:0.1~100.0ms,0.1ms単位,デフォルト10.0ms) |
デフォルト0点(低速積算タイマ/高速積算タイマの共用)(変更可) 低速積算タイマ/高速積算タイマは命令で指定 低速積算タイマ/高速積算タイマの計測単位はパラメータで設定 (低速積算タイマ:1~1000ms,1ms単位,デフォルト100ms) (高速積算タイマ:0.1~100.0ms,0.1ms単位,デフォルト10.0ms) |
通常カウンタ:デフォルト1024点(C0~1023)(変更可) 割込みカウンタ:最大256点(デフォルト0点,パラメータにより設定) |
デフォルト12288点(D0~12287)(変更可) |
デフォルト8192点(W0~1FFF)(変更可) |
デフォルト2048点(F0~2047)(変更可) |
デフォルト2048点(V0~2047)(変更可) |
32768点(R0~32767) ブロック切換えにより,最大65536点まで使用可 |
32768点(R0~32767) ブロック切換えにより,最大517120点まで使用可 |
32768点(R0~32767) ブロック切換えにより,最大1041408点まで使用可 |
32768点(R0~32767) ブロック切換えにより,最大1041408点まで使用可 |
32768点(R0~32767) ブロック切換えにより,最大1042432点まで使用可 |
65536点(ZR0~65535) ブロック切換え不要 |
517120点(ZR0~517119) ブロック切換え不要 |
1041408点(ZR0~1041407) ブロック切換え不要 |
1041408点(ZR0~1041407) ブロック切換え不要 |
1042432点(ZR0~1042431) ブロック切換え不要 |
2048点(SB0~7FF)(デバイス点数は固定) |
2048点(SW0~7FF)(デバイス点数は固定) |
8192点(S0~8191)(デバイス点数は固定) |
16点(Z0~15)(デバイス点数は固定) |
4096点(P0~4095)(デバイス点数は固定) パラメータによりローカルポインタ/共通ポインタの使用範囲を設定可 |
256点(I0~255)(デバイス点数は固定) パラメータによりシステム割込みポインタI28~31の定周期間隔を設定可(0.5~1000.0ms,0.5ms単位) デフォルトI28:100ms,I29:40ms,I30:20ms,I31:10ms |
2048点(SM0~2047)(デバイス点数は固定) |
2048点(SD0~2047)(デバイス点数は固定) |
16点(FX0~F)(デバイス点数は固定) |
16点(FY0~F)(デバイス点数は固定) |
5点(FD0~4)(デバイス点数は固定) |
ネットワークユニットのリンクデバイスを直接アクセスするデバイス 指定形式:J□□\X□□, J□□\Y□□, J□□\SB□□, J□□\W□□, J□□\SW□□ |
インテリジェント機能ユニットのバッファメモリを直接アクセスするデバイス 指定形式:U□□\G□□ |
L0~8191(デフォルト8192点) [B, F, V, T, ST, C, D, Wについてラッチ範囲設定可能] |
X0~1FFFよりRUN/PAUSE接点各1点設定可 |
年,月,日,時,分,秒,曜日(うるう年自動判別) 精度:-3.18~+5.25s(TYP. +2.12s)/d at 0℃ 精度:-3.93~+5.25s(TYP. +1.90s)/d at 25℃ 精度:-14.69~+3.53s(TYP. -3.67s)/d at 55℃ |
電源ユニットによる |
0.64A |
98mm |
27.4mm |
89.3mm |
0.20kg |
一般仕様
使用周囲温度 | ||
保存周囲温度 | ||
使用周囲湿度 | ||
保存周囲湿度 | ||
耐振動 | JIS B 3502, IEC 61131-2 に適合 | 断続的な振動がある場合 |
連続的な振動がある場合 | ||
耐衝撃 | ||
使用雰囲気 | ||
使用標高 | ||
設置場所 | ||
オーバボルテージカテゴリ | ||
汚染度 | ||
装置クラス |
0~55℃ |
-25~75℃ (システムにAnS/Aシリーズユニットが含まれる場合,-20~75℃) |
5~95%RH,結露なきこと (システムにAnS/Aシリーズユニットが含まれる場合,10~90%RH) |
5~95%RH,結露なきこと (システムにAnS/Aシリーズユニットが含まれる場合,10~90%RH) |
周波数:5~8.4Hz,片振幅:3.5mm 周波数:8.4~150Hz,定加速度:9.8m/s2 掃引回数:X,Y,Z各方向10回 |
周波数:5~8.4Hz,片振幅:1.75mm 周波数:8.4~150Hz,定加速度:4.9m/s2 |
JIS B 3502, IEC 61131-2 に適合 (147m/s2,XYZ3方向各3回) |
腐食性ガスがないこと |
0~2000m |
制御盤内 |
Ⅱ以下 |
2以下 |
Class I |