1.2kV/600A, 800A 2in1
1.7kV/300A 2in1, チョッパ
RTC回路搭載
1.2kV/300A, 400A 4in1
RTC回路搭載
1.2kV/1200A 2in1
RTC回路搭載
1.2kV/400A 4in1
1.2kV/800A 2in1

新製品の特長

  1. 低損失特性と高キャリア周波数駆動により、機器の高効率化、小型・軽量化に貢献
    • JFETドーピング技術※4を適用した新開発のSiC-MOSFETにより、オン抵抗を従来比※5で約15%低減。また、帰還容量※6の低減により、高速スイッチング動作が可能となり、スイッチング損失低減に寄与
    • SiC-MOSFETとSiC-SBDチップの搭載により、従来の当社Si-IGBTモジュールと比べて電力損失を約70%低減
    • 電力損失の低減や高キャリア周波数駆動により、冷却器やリアクトルなどの周辺部品の小型・軽量化に貢献
    • ※4

      JFET（Junction Field Effect Transistor：接合型電界効果トランジスタ）領域の不純物濃度を高濃度化し、デバイスを高密度化する技術

    • ※5

      当社第一世代SiC同一定格製品との比較

    • ※6

      MOSFETの構造上存在するゲート・ドレイン間の寄生容量（Crss）でスイッチング時間に影響

  2. RTC回路搭載により、短絡耐量と低オン抵抗特性を両立
    • 破壊の原因となる短絡電流を制限するRTC（Real Time Control）回路の搭載※7により、短絡耐量の確保を可能とし、トレードオフ関係にある低オン抵抗特性との両立を実現
    • 短絡検知信号をモニターすることで、短絡時に外部回路で安全に遮断することが可能
    • ※7

      「FMF400BX-24B」「FMF800DX-24B」除く

  3. 内部チップの配置最適化により、放熱性が向上
    • モジュール内部のSiC-MOSFETとSiC-SBDチップの配置を分散し、最適化することで、放熱性を向上。冷却器の小型化やファンレス化により、メンテナンス性の向上に貢献