ニュースリリース

三菱電機株式会社は、光ファイバー通信用光トランシーバー^※1に搭載される光デバイスの新製品として、デジタルコヒーレント通信^※2の大容量化と光トランシーバーの小型化に貢献する「チューナブルレーザーダイオード^※3チップ」のサンプル提供を10月1日に開始します。

第5世代移動通信システム網の拡大や動画配信サービスの普及によるデータ通信トラフィックの急増に伴い、光ファイバー通信の長距離通信網やデータセンター間の通信網などで、従来の100Gbps^※4から400Gbpsへの高速大容量化が求められており、既存の光ファイバーの通信効率を高めるため、デジタルコヒーレント通信方式の適用が拡大しています。一方、高速大容量対応の光トランシーバーを既存の限られたスペースに新たに設置するには、光トランシーバーのさらなる小型化が必要ですが、パッケージで提供されているチューナブルレーザーダイオードでは、光トランシーバーの小型化が難しいという課題がありました。

今回、当社が開発した「チューナブルレーザーダイオードチップ」は、デジタルコヒーレント通信で用いられる1.55μm帯のレーザー光を出力し、400Gbps光トランシーバー標準規格（OIF-400ZR-01.0）に準拠した広い波長帯に対応することで、デジタルコヒーレント通信の大容量化に貢献します。また、チップでの提供により、お客様の光トランシーバーに最適なパッケージ設計が可能になります。さらに、本製品は、これまで当社が開発してきた移動通信システム基地局向けDFBレーザー^※5やデータセンター向けEML^※6チップで採用している半導体製造技術を基に設計しており、高い信頼性を有しています。