ニュースリリース

三菱電機株式会社は、SiC^※1パワー半導体の生産体制強化に向けた新工場棟の建設をはじめ、パワーデバイス事業における2021年度から2025年度までの累計設備投資を従来計画^※2から倍増させ、約2,600億円を投資します。

当社は、世界初^※3となるSiCパワーモジュールのエアコンや高速鉄道車両への提供など、家電、産業機器、鉄道車両分野でSiCパワーモジュールの市場をリードしながら、長年に亘ってスクリーニング技術などの高性能・高信頼性の作り込み技術を蓄積してきました。

近年、脱炭素社会の実現に向けた世界的な省エネ志向が高まっており、特にSiCパワー半導体は、電気自動車向け需要の拡大に伴い急速な市場拡大が見込まれるとともに、低損失・高温度動作・高速スイッチング動作等が求められる様々な応用分野において更なる市場の広がりが見込まれ、GX（Green Transformation）実現への貢献が期待されています。

当社は今回、この市場拡大に対応するため、SiCウエハについて約1,000億円を投資して新工場棟の建設と設備増強を実施します。この新工場棟は、熊本県泗水地区に有する拠点を活用し、大口径化（8インチ）に対応するとともに、最先端の省エネ性能を有するクリーンルームを導入し、徹底した自動化によって高い生産効率を実現します。また、市場の旺盛な需要に対応するため6インチウエハ製品の生産設備も増強し、さらなる事業拡大を目指します。

この他、約100億円を投資してパワー半導体の後工程の新工場棟を福岡地区に建設し、同地区内に点在する組み立て・検査工程を集約します。設計・開発から生産技術検証までを一貫して行う体制を構築して製品開発力を向上し、市場ニーズに合わせた製品のタイムリーな量産化を実現します。