ニュースリリース

三菱電機株式会社は、鉄道車両・直流送電などの大型産業機器向け大容量SiC^※1パワー半導体モジュールの新製品として、耐電圧3.3kV・絶縁耐電圧6.0kVrmsの高電流密度dualタイプにSBD^※2内蔵MOSFET^※3を採用した「SBD内蔵SiC-MOSFETモジュール」のサンプル提供を2023年5月31日に開始します。なお、本製品は「PCIM^※4 Europe 2023」（5月9日～11日、於：ドイツ連邦共和国・ニュルンベルク）に出展します

近年、脱炭素社会の実現に貢献するキーデバイスとして、電力を効率よく変換するパワー半導体の需要が拡大・多様化しています。なかでも電力損失の大幅な低減が可能なSiCパワー半導体への期待が高まっています。また、大型産業機器向けのパワー半導体モジュールは、鉄道車両の駆動システムや直流送電などの電力関連システムにおけるインバーターなどの電力変換機器に使用されており、さらなる電力変換効率の向上に向けた、高出力・高効率な製品の需要が拡大しています。

当社は、これまで「3.3kV HVパワーモジュール dualタイプ LV100」のSiパワーモジュール2品種、フルSiCパワーモジュール4品種を市場投入してきました。大型産業機器向けの多様なインバーターにおいて、今後のさらなる高出力・高効率化と信頼性向上に貢献するため、今回、SBD内蔵SiC-MOSFETの採用とパッケージ構造の最適化でスイッチング損失を低減しSiCの性能を引き出した「SBD内蔵SiC-MOSFETモジュール」のサンプル提供を開始します。