ニュースリリース

三菱電機株式会社は、Nexperia B.V.（ネクスペリア、本社：オランダ ナイメーヘン、以下Nexperia）とパワーエレクトロニクス市場向けSiC^※1パワー半導体の共同開発に向けた戦略的パートナーシップに合意しました。

当社は、自社の強みである化合物半導体技術などを適用したSiC-MOSFET^※2チップをNexperia向けに開発・供給します。Nexperiaは、当社SiCチップを搭載したSiCディスクリート製品を開発します。

SiCパワー半導体は、従来のシリコンウエハを用いたパワー半導体に比べて低電力損失で、高温動作や高速スイッチング動作が可能となるため、省エネルギーや脱炭素化によるGX（Green Transformation）実現への貢献が期待されており、電気自動車分野などで市場の急拡大が見込まれます。

当社は、2010年にSiCパワーモジュールを搭載したエアコンを世界で初めて^※3製品化し、2015年には世界で初めて^※4新幹線向けに供給するなど、家電、産業機器、鉄道車両分野でSiCパワーモジュールの市場をリードしてきました。高い信頼性が要求される各分野のSiCパワーモジュールの開発・製造を長年続けている経験から、高性能で高品質なチップを開発・製造する技術を保有しており、今回、その技術を適用したSiCチップをNexperiaのディスクリート製品向けに開発・供給します。

Nexperiaはディスクリート半導体の開発、製造、品質保証において数十年にわたる経験があり、自動車、産業用からモバイル、民生用途まで幅広く供給する、ディスクリートデバイスの世界的メーカーであり、今後当社は、Nexperiaとのパートナーシップをより強固なものにし、脱炭素社会と持続可能な未来の実現に貢献していきます。また、高性能で高品質なSiCチップの開発・製造技術をさらに高め、独自のモジュール開発・製造技術を適用したパワーモジュールの開発に注力していきます。