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経営セミコンダクター・デバイス「グリーンボンド」の発行条件を決定
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セミコンダクター・デバイスR&D世界初、AIデジタル制御機能を備えたポスト5G向け基地局用GaN増幅器を開発(PDF:648KB)
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セミコンダクター・デバイスNexperia B.V.とSiCパワー半導体共同開発に向けた戦略的パートナーシップに合意
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経営セミコンダクター・デバイス三菱電機として初めて「グリーンボンド」を発行
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経営セミコンダクター・デバイス三菱電機がプロジェクトリーダーとして参加したIEC白書が発行
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セミコンダクター・デバイス米国CoherentのSiC事業会社へ出資
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セミコンダクター・デバイス「5G massive MIMO基地局用GaN電力増幅器モジュール」サンプル提供開始
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セミコンダクター・デバイスパワーデバイス製作所 福山工場に12インチSiウエハ対応生産ラインを設置完了
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セミコンダクター・デバイス酸化ガリウムパワー半導体開発に向けてノベルクリスタルテクノロジー社に出資(PDF:263KB)
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セミコンダクター・デバイス三菱電機「産業用フルSiCパワー半導体モジュールNXタイプ」サンプル提供開始
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セミコンダクター・デバイスR&D世界初、1台のGaN増幅器で4GからBeyond 5G/6Gまでの周波数での動作を実証
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セミコンダクター・デバイスR&D新チップ構造によりパワーモジュールへのSBD内蔵SiC-MOSFETの適用を実現
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経営ライフビジネス・プラットフォームセミコンダクター・デバイスインフラインダストリー・モビリティ三菱電機 IR Day 2023
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セミコンダクター・デバイス米国のCoherentと8インチSiC基板共同開発について基本合意書を締結(PDF:307KB)
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セミコンダクター・デバイス「SBD内蔵SiC MOSFETモジュール」サンプル提供開始
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セミコンダクター・デバイス「HVIGBTモジュール Xシリーズ dualタイプ HV100」サンプル提供開始
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セミコンダクター・デバイス三菱電機 SiCパワー半導体の生産体制強化に向け新工場棟を建設
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セミコンダクター・デバイスCWDM4波長「200Gbps(112Gbaud PAM4)EMLチップ」を開発