シリコンRFデバイス

無線通信ネットワークを支える三菱シリコンRFデバイス
シリコン高周波デバイスは、数MHz～1GHzにわたる周波数帯域における移動無線通信機器の送信段電力増幅用キーパーツとして、官公庁向けをはじめとする各種移動業務用無線機、アマチュア無線機、車載TELEMATICS市場まで幅広い製品ラインアップにより、無線通信ネットワークを力強くサポートいたします。

新製品情報

携帯型業務用無線機向けシリコンRF高出力MOSFET RD06LUS2

携帯型業務用無線機向けシリコンRF高出力MOSFET RD06LUS2
  • ■3.6V駆動で業界最高※6.5W出力を実現、業務用無線機の送信距離伸長に貢献
  • ■業界トップクラス※のドレイン効率65％を実現し、業務用無線機の消費電力を低減
  • ■MOSFETチップ2個内蔵の新パッケージで、業務用無線機の実装面積の省スペース化、組立てコスト低減に貢献
  • ※2024年2月27日時点、当社調べ。電源電圧3.6V動作のVHF／UHF帯電力増幅器品において

ニュースリリース

3.6V/7.2V/12.5V動作 RF 高出力 MOS FET（ディスクリート）

セレクションマップ

形名をクリックすると製品ラインアップへリンクします（拡大してご覧いただけます）

RD100HHF1C RD70HVF1C RD70HUP2 RD60HUF1C RD60HMP2 RD35HUP2 RD32HMP2 RD12MVS1 RD10MMS2 RD10MMS2 RD10HMS2 RD08MUS2 RD07MUS2B RD06LUS2 RD06HHS2 RD04HMS2 RD04LUS2 RD02LUS2 RD02MUS2 RD01MUS2B RD01MUS3 RD01MUS2 RD00LUS2

製品ラインアップ

7.2V/9.6V/12.5V動作 RF 高出力 MOS FETモジュール

セレクションマップ

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RA80H1415M1 RA60H1317M1A RA60H1317M1B RA60H3847M1 RA60H3847M1A RA60H4452M1 RA60H4452M1A RA50H7687M1 RA50H8994M1 RA33H1516M1 RA30H1317M1 RA30H2127M1 RA30H3340M1 RA30H3847M1 RA30H4452M1 RA13H1317M1 RA13H3340M1 RA13H4047M1 RA08H1317M RA08N1317M RA07M1317M RA07H4047M RA07H4452M RA07N4047M RA07N4452M RA07M3847M RA07M4452M RA03M8087M RA03M8894M

製品ラインアップ

注記

  • ■ADS/MWOの非線型モデル、信頼性データをご用意しております。営業窓口までお問い合わせください。