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チップ

SiC-MOSFET チップ

プレーナ型とトレンチ型SiC MOSFETの技術を保有しており、最適構造による低損失・高信頼性デバイスを実現

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特長

  • SiC-MOSFETにより、従来のSi-IGBTと比較して低損失、高周波動作が可能となり、システムの小型化に貢献
  • シリコンパワーデバイスで培った高品質プロセス技術をSiC-MOSFETに適用
  • ゲートの酸化膜を保護する Bottom P-Well 構造に加え、当社独自構造（SPW※1、 JFETドーピング※2）により、ゲート信頼性を確保しつつ低オン抵抗・低スイッチング損失を実現
  • ※1：トレンチデバイスにおける Side P-Well
  • ※2：JFET（Junction Field Effect Transistor）領域の不純物濃度を高濃度化し、デバイスを高密度化する技術

主な用途

  • EV / HEV
  • 車載充電器
  • 充電インフラ

ラインアップ

SiC-MOSFET
形名構造VDS [V]RDS(on)typ.
[mΩ]* 		用途ステータス
トレンチ12009.0自動車開発中
トレンチ7507.8自動車開発中
 * Tj=25℃

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