IGBTモジュール stdタイプ
第7世代IGBT搭載 T/T1シリーズ
あらゆる産業機器のインバータ化に必須なデバイスであるIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュールは、1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきました。またチップ構造を平面プレーナー構造からトレンチゲート構造へ進め、CSTBT™（キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT）により、産業機器の低損失化や小型化に対応してきました。T/T1シリーズは従来Sシリーズ（第6世代IGBT）から電力損失を低減し、小型化しております。さらに従来外形のスタンダード（std）タイプに、NXタイプとLV100タイプを追加しました。
特長
- CSTBT™※1構造を採用した第7世代IGBTとRFC※2構造を採用したダイオードの搭載により電力損失を低減し、産業用機器の低消費電力化に貢献
- 新構造によりはんだ付け部分を削減し、サーマルサイクル寿命が向上することにより産業用機器の信頼性向上に貢献
- ※1：キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT
- ※2：Relaxed Field of cathode
主な用途
- モーションコントロール
- 再生可能エネルギー
- 電源・UPS
新構造の採用による信頼性向上（サーマルサイクル寿命向上）
ラインアップ
Tシリーズ
| IC (A) | 回路構成 | 形名 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| VCES=650V | VCES=1200V | VCES=1700V | VCES=2000V | ||
| 75 | - | - | - | ||
| 100 | - | ||||
| 150 | - | ||||
| 200 | |||||
| 300 | - | ||||
| 400 | - | ||||
| 450 | - | - | - | ||
| 600 | - | - | |||
| 外形写真 |  ※ 代表写真です。形名により外形は異なります。 | ||||
ドキュメント
関連製品
IGBTモジュール LV100タイプ
鉄道・電力用途で広く使用されている汎用性の高い共通外形パッケージであり、業界最大クラス※1の電流密度17.14A/cm2を実現。※1. 2020年8月25日時点、当社調べ
IGBTモジュール NXタイプ
2in1、6in1、7in1、CIBと幅広い回路構成をラインアップ。また、プレスフィットピンパッケージも選択可能。
関連情報
損失シミュレーター
パワーモジュールの損失・温度上昇を簡易的に計算するシミュレーターです。
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