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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2012年5月23日
開発No.1204

パワー密度50kVA/ℓでインバーター動作を実証

高パワー密度フルSiCインバーターを開発

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 三菱電機株式会社は、パワー半導体素子をすべてSiC※1(炭化ケイ素)で構成した強制空冷式フルSiCインバーターを開発し、検証用インバーターにてパワー密度50kVA/ℓ※2での動作を実証※3しました。本開発により、自動車や産業用途などのパワーエレクトロニクス機器の小型・軽量化に貢献します。

  • ※1:Silicon Carbide:炭素とケイ素が1:1の化合物
  • ※2:kVA/ℓ:体積1ℓ単位あたりのインバーター出力
  • ※3:出力:156kVA、インバーター体積:3.1 ℓ

開発の概要

  1. 高パワー密度(50kVA/ℓ)のフルSiCインバーターを開発
    • 強制空冷式の400V出力3相フルSiCインバーターを開発
    • SiC-MOSFET※4・SiC-SBD※5採用、定格1200V/300AのフルSiCパワーモジュール搭載
    • 自動車や産業用途などの適用機器の小型・軽量化に貢献
    • ※4:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体電界効果トランジスター
    • ※5:Schottky Barrier Diode:半導体と金属の接合部に生じるショットキー障壁を利用したダイオード

開発の特長

  1. フルSiCパワーモジュールの高電流密度化技術を開発
    • DLB※6による低抵抗配線の適用により、電流密度を低損失デバイスの最大限まで増加
    • 電流センス機能内蔵SiC-MOSFETを用いた高速短絡保護回路の採用により、低損失性を確保
    • ※6:Direct Lead Bonding:パワー半導体チップに主端子を直接はんだで接合する内部配線構造

今後の展開

 実用化に向け、インバーターのさらなる小型化開発を推進していきます。

お問い合わせ先
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所 業務部 広報・宣伝グループ

FAX: (06)6497-7289

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