リリース全文（PDF：252KB）三菱電機株式会社は、次世代パワー半導体材料のSiC※1を用いたSBD※2やMOSFET※3搭載の家電製品・産業機器向けSiCパワー半導体モジュール5品種を7月31日から順次サンプル提供開始します。SiCを用いることで、インバーターを使用した家電製品や産業機器などのパワーエレクトロニクス機器の更なる高効率化や小型・軽量化に貢献します。
本製品は「TECHNO-FRONTIER 2012 第27回電源システム展」（7月11日〜13日、於：東京ビッグサイト）に出展します。
- ※1：Silicon Carbide：炭化ケイ素
- ※2：Schottky Barrier Diode：半導体と金属の接合部に生じるショットキー障壁を利用したダイオード
- ※3：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスタ
家電用SiC DIPIPM/DIPPFC
産業用ハイブリッドSiC-IPM
産業用フルSiCモジュール
概要
| 用途 | 製品名 | 概要 | サンプル 提供開始時期 |
| 家電 製品 |
ハイブリッドSiC DIPIPM※4 | 600V/15A 6in1 | 2012年7月31日 |
| ハイブリッドSiC DIPPFC※5 | 600V/20Arms インターリーブ | 2012年 8月 | |
| フルSiC DIPPFC | 600V/20Arms インターリーブ | 2012年 8月 | |
| 産業 機器 |
ハイブリッドSiC-IPM | 1200V/75A 6in1 | 2012年 10月 |
| フルSiCモジュール | 1200V /800A 2in1 | 2013年 1月 |
※5：DIPPFC：力率改善回路を内蔵したトランスファモールドタイプのインテリジェントパワー半導体
サンプル提供の狙い
近年、エネルギーを効率的に利用する観点から、エアコン・冷蔵庫などの家電製品から一般産業機器まで幅広くインバーターが用いられています。当社はこれまで、インバーターに使用される低損失のパワー半導体モジュールを多数提供していますが、電力損失の大幅な低減や高速スイッチングが可能なSiCを用いたパワー半導体への期待が高まっています。
当社は今回、SiCを用いたSBDやMOSFET搭載のパワー半導体モジュールを開発、エアコンなどの家電製品向けに3品種、汎用インバーターなどの産業機器向けに2品種のあわせて5品種のサンプル提供を開始します。
当社は今回、SiCを用いたSBDやMOSFET搭載のパワー半導体モジュールを開発、エアコンなどの家電製品向けに3品種、汎用インバーターなどの産業機器向けに2品種のあわせて5品種のサンプル提供を開始します。
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第一事業部 パワーデバイス営業部
TEL: （03）3218-3239 FAX: （03）3218-2723
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