ニュースリリース

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2013年5月13日
半導体No.1310

EV・HEV向け新小型パッケージパワーモジュール

自動車用パワー半導体モジュール「J1シリーズ」サンプル提供開始

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　三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やハイブリッド車（HEV）用モーターのインバーター駆動に用いる自動車用パワー半導体モジュールの新シリーズとしてIGBTを6素子搭載した「J1シリーズ」2品種のサンプル提供を9月30日に開始します。

　なお、本製品は「PCIM※1 Europe 2013」（5月14〜16日、於：ドイツ連邦共和国・ニュルンベルグ）に出展します。

  • ※1：PCIM：Power Conversion Intelligent Motion

J1シリーズ（表面）　写真は開発中のものです。

J1シリーズ（表面）　※写真は開発中のものです。

J1シリーズ（裏面）　写真は開発中のものです。

J1シリーズ（裏面）　※写真は開発中のものです。

新製品の特長

  1. 6in1化により、自動車用インバーターの小型化に貢献
    • ・6in1化により、従来の2in1製品を3台使用した場合に比べて実装床面積（117.0×113.0mm）で約80％に縮小し※2、インバーターの小型化に貢献
    • ※2：Jシリーズ T-PM※3（2in1タイプ）「CT600DJH060」（縦64.0×横84.0mm）3台を間隔2mmで実装した場合との比較
    • ※3：Transfer molded-Power Module：トランスファーモールド型パワー半導体モジュール
  2. 自動車用インバーターの低消費電力化と高信頼性に寄与
    • ・CSTBTTM ※4構造を採用した第6世代IGBTの搭載により、コレクタ・エミッタ間飽和電圧を当社従来製品※5より約15%低減し、低消費電力化に貢献
    • ・冷却フィン一体の直接水冷構造により、当社従来製品より放熱特性を40%向上※6し、自動車用インバーターの小型化・高信頼化に寄与
    • ※4：Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor：キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT
    • ※5：Jシリーズ T-PM（2in1タイプ）「CT600DJH060」との比較
    • ※6：Jシリーズ T-PM（2in1タイプ）「CT600DJH060」を放熱グリスを介してAlフィンに取り付けた場合とのチップ−冷却水間の熱抵抗比較

サンプル提供の概要

製品名 形名 概要 サンプル価格
（税抜き）		 サンプル
提供開始日
J1シリーズ CT600CJ1A060 650V/600A,6in1 65,000円 9月30日
CT400CJ1A090 900V/400A,6in1
お問い合わせ先
三菱電機株式会社　半導体・デバイス第一事業部　パワーデバイス営業部

TEL: （03）3218-3239　FAX: （03）3218-2723

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