リリース全文（PDF：251KB）三菱電機株式会社は、Ku帯※1衛星通信地球局の電力増幅器に使用される高出力高周波トランジスタの新製品として、世界で初めて※2電力増幅信号のひずみを補正する素子であるリニアライザを内蔵した出力電力20WのKu帯GaN※3 HEMT※4 MMIC※5を2月1日に発売します。
従来の50Ｗ品、80W品のGaN HEMTと組み合わせることで様々な出力の電力増幅器の高出力部の増幅段を構成することができるため、電力増幅器の小型化・高性能化・開発期間短縮に貢献します。
- ※1 周波数12GHz〜18GHzのマイクロ波
- ※2 2014年1月20日時点 当社調べ。衛星通信地球局用GaN HEMTにおいて
- ※3 Gallium Nitride：窒化ガリウム
- ※4 High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ
- ※5 Monolithic Microwave Integrated Circuit：モノリシックマイクロ波集積回路
Ku帯20W GaN MMIC「MGFG5H1503」
新製品の特長
- MMIC適用により電力増幅器の小型化・高利得化に貢献
- ・世界初、GaNの1チップ上に複数の増幅用トランジスタ・整合回路・リニアライザを搭載
- ・従来3個の製品で構成されていた増幅回路を1個にしたことで体積を約60％削減し※6、電力増幅器の小型化に貢献
- ・線形利得20dB（従来比約1dB改善※6）の高利得を実現
- ※6 当社従来品：MGF2430A、MGFK38A3745、MGFK44A4045を組み合わせた場合との比較
- 低ひずみ特性で高い信号品質に貢献
- ・従来外付けしていたリニアライザの内蔵により、電力増幅器の低ひずみ化を実現
- ・50W級トランジスタのドライバ段として使用することで、高出力時の線形性を確保
（IM3※7が−25dBcの出力電力を最大5dB改善※6）。
- ※7 Inter Modulation：増幅器に2つの信号を同時入力した際に発生するひずみ。数値が低いほど高性能
- Ku帯GaN HEMT製品のラインアップ拡充
- ・50W品（MGFK47G3745）、80W品（MGFK49G3745）と組み合わせることにより、各電力増幅段を構成することが可能
- ・高性能化とともに電力増幅器の開発期間短縮に寄与
発売の概要
| 製品名 | 形名 | 概要 | サンプル価格 （税抜き） |
サンプル 出荷開始日 |
|
| 出力電力 | 利得 | ||||
| Ku帯GaN HEMT | MGFG5H1503 | 43dBm（20W） | 20.0dB | 80,000円 | 2月1日 |
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第ニ部
TEL: (03)3218-4880 FAX: (03)3218-4862
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