リリース全文（PDF：298KB）三菱電機株式会社は、ダイオード部にSiC※1を用いた高周波用ハイブリッドSiCパワー半導体モジュール6品種のサンプル提供を5月15日に開始します。SiCを用いることで、太陽光発電用パワーコンディショナー、無停電電源装置（UPS）、医療機器用電源などのインバーターを使用したパワーエレクトロニクス機器のさらなる高効率化や小型・軽量化に貢献します。
なお、本製品を「PCIM※2 Europe 2014」（5月20〜22日、於：ドイツ連邦共和国・ニュルンベルグ）に出展します。
- ※1 Silicon Carbide：炭化ケイ素
- ※2 Power Conversion Intelligent Motion
CMH100DY-24NFH
CMH150DY-24NFH
CMH 200DU-24NFH
CMH 300DU-24NFH
CMH 400DU-24NFH
CMH 600DU-24NFH
新製品の特長
- 電力損失の約40％低減により、機器の高効率・小型・軽量化に貢献
- ・ダイオード部にSiC-SBD※3 、トランジスタ部に高周波用Si-IGBTを搭載したハイブリッド構成
- ・SiC-SBDによりリカバリー電流が発生せず、スイッチング損失が大幅に減ることで電力損失が約40%低減し、機器の高効率化に貢献
- ・電力損失の大幅低減によるヒートシンクの小型・軽量化や、高周波化によるリアクトルなど周辺部品の小型・軽量化に貢献
- ※3 Schottky Barrier Diode：半導体と金属の接合部に生じるショットキー障壁を利用したダイオード
- 内部インダクタンスの低減により、サージ電圧の抑制が可能
- ・高速スイッチングに対応した低インダクタンスパッケージを採用
- ・100A、150A品は、従来製品※4に比べ内部インダクタンスを約30%低減
- ※4 Siを用いた高周波用IGBTモジュール「NFHシリーズ」
- 従来製品と外形互換により、置き換えが容易に
- ・従来製品※4との外形互換性を確保することにより、置き換えが可能
新製品の概要
| 製品名 | 形名 | 概要 | サンプル提供開始日 |
| 高周波用 ハイブリッド SiCパワー 半導体 モジュール |
CMH100DY-24NFH | 1200V/100A 2in1 | 5月15日 |
| CMH150DY-24NFH | 1200V/150A 2in1 | ||
| CMH200DU-24NFH | 1200V/200A 2in1 | ||
| CMH300DU-24NFH | 1200V/300A 2in1 | ||
| CMH400DU-24NFH | 1200V/400A 2in1 | ||
| CMH600DU-24NFH | 1200V/600A 2in1 |
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第一事業部 パワーデバイス営業部
TEL: （03）3218-3239 FAX: （03）3218-2723
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