リリース全文（PDF：237KB）三菱電機株式会社は、基地局の電力増幅器に使用される高周波デバイスの新製品として、業界トップクラス※1 の高出力・高効率を実現した「3.5GHz帯 第4世代移動通信システム基地局用GaN HEMT※2」2品種（マクロセル基地局用・スモールセル基地局用）のサンプル提供を4月1日に開始します。
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2015年3月11日時点、当社調べ - ※2Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor：窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ
3.5GHz帯 第4世代移動通信システム基地局用
GaN HEMT 「MGFS50G38FT1（左）」
「MGFS39G38L2（右）」
新製品の特長
- 業界トップの出力100Wにより、マクロセル基地局のカバーエリア拡大に貢献
- ・トランジスタ構造の最適化により、マクロセル基地局用として業界トップ※1の出力100Wを実現
- ・マクロセル基地局の高出力化により、基地局のカバーエリアの拡大に貢献
- 業界トップクラスのドレイン効率で、基地局の小型化・低消費電力化に寄与
- ・耐電圧に優れたGaNの採用とトランジスタ構造の最適化により、マクロセル基地局用は74％、スモールセル基地局用は67％という業界トップクラス※1 の高いドレイン効率※3 を実現
- ・高効率化による冷却機能の簡略化により、基地局の小型化・低消費電力化に寄与
- ※3マクロセル基地局用は出力100W、スモールセル基地局用は出力9Wにおけるパッケージ端での数値
発売の概要
| 製品名 | 用途 | 形名 | 概要 | サンプル価格 （税抜き） |
サンプル 提供開始日 |
| 3.5GHz帯 第4世代 移動通信 システム 基地局用 GaN HEMT |
マクロセル 基地局 |
MGFS50G38FT1 | 動作周波数：3.4〜3.8GHz 飽和出力電力：50dBm（100W） 最大ドレイン効率：74% |
15,000円 | 4月1日 |
| スモールセル 基地局 |
MGFS39G38L2 | 動作周波数：3.4〜3.8GHz 飽和出力電力：39dBm（9W） 最大ドレイン効率：67% |
3,000円 | 4月1日 |
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第ニ部
TEL: (03)3218-4880 FAX: (03)3218-4862
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