リリース全文（PDF：321KB） 三菱電機株式会社は、移動通信システム基地局の電力増幅器に使用される高周波デバイスの新製品として、業界トップクラス※1の高出力・高効率を実現した「3.5GHz帯第4世代移動通信システム基地局用GaN HEMT※2 」4品種（マクロセル基地局用・スモールセル基地局用各2品種）のサンプル提供を2016年2月1日から順次開始します。
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2015年12月22日時点、当社調べ - ※2Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor：窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ
3.5GHz帯第4世代移動通信システム基地局用
GaN HEMT
新製品の特長
- 業界トップクラスの出力品などラインアップの拡大により多様なニーズに対応
- ・トランジスタ構造の最適化により、3.5GHz帯マクロセル基地局用として業界トップクラス※1の出力180Wを実現し、基地局のカバーエリアの拡大に貢献
- ・180W品をはじめ、90W・7W・5W品の計4品種を新たにラインアップし、移動体通信システム基地局の多様なニーズに対応
- 業界トップの高いドレイン効率で、基地局の小型化・低消費電力化に寄与
- ・耐電圧に優れたGaNの採用とトランジスタ構造の最適化により、マクロセル基地局用は74％（90W品）、スモールセル基地局用は67％という業界トップ※1 の高いドレイン効率※3 を実現
- ・高効率化による電力増幅器の小型化・低消費電力化により、通信設備の冷却機能を簡略化でき、基地局の小型化・低消費電力化に寄与
- ※3パッケージ端での数値
- フランジレスパッケージにより電力増幅器の小型化に貢献＜180W・90W品＞
- ・フランジ※4 レスパッケージの採用により取付け面積を削減し、電力増幅器の小型化に貢献
- ※4ネジなどで固定するためにパッケージから鍔状に張り出た部分
発売の概要
| 製品名 | 用途 | 形名 | 概要 | サンプル 価格 （税抜き） |
サンプル 提供 開始日 |
||
| 動作 周波数 |
飽和出力 電力 |
最大 ドレイン効率 |
|||||
| 3.5GHz帯 第4世代 移動通信 システム 基地局用 GaN HEMT |
マクロセル 基地局 |
MGFS53G38ET1 | 3.4〜 3.8 GHz |
52.6dBm （180W） |
70％ | 30,000円 | 2月1日 |
| MGFS50G38ET1 | 49.5dBm （90W） |
74％ | 15,000円 | 3月1日 | |||
| スモール セル 基地局 |
MGFS38G38L2 | 38.4dBm （7W） |
67％ | 3,000円 | 3月1日 | ||
| MGFS37G38L2 | 37.0dBm （5W） |
67％ | 3,000円 | 2月1日 | |||
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第ニ部
TEL: (03)3218-4880 FAX: (03)3218-4862
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