ニュースリリース

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2016年8月17日
半導体No.1610

業界トップクラスの低消費電力を実現し、省エネ志向の強いエアコンに最適

「超小型フルSiC DIPIPM」発売のお知らせ

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　三菱電機株式会社は、インバーター駆動用パワー半導体モジュールの新製品として、新開発のSiC※1 -MOSFET※2 を搭載し、省エネ志向の強いエアコンの通年エネルギー消費効率向上に貢献する「超小型フルSiC DIPIPMTM※3」を8月17日に発売します。

  • ※1Silicon Carbide：炭化ケイ素
  • ※2Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスタ
  • ※3Dual-In-Line Package Intelligent Power Module：保護機能付き制御素子を内蔵したインテリジェントパワー半導体モジュール

超小型フルSiC DIPIPM

超小型フルSiC DIPIPM

新製品の特長

  1. SiC-MOSFETの搭載により、業界トップクラスの低消費電力を実現
    • ・新開発のSiC-MOSFETを搭載し、従来製品※4 比で電力損失を約70％低減
    • ・業界トップクラス※5 の低消費電力を実現し、エアコンの通年エネルギー消費効率の向上に貢献
    • ※4超小型DIPIPM Ver.6シリーズ（Si品）PSS15S92F6（15A ／ 600V）
    • ※52016年8月17日時点、当社調べ
  2. 従来製品との互換性を確保し、インバーターシステムの設計簡素化に寄与
    • ・外形サイズ・ピン配置など当社の超小型パッケージ品※6 との互換性を確保
    • ・絶縁膜生成工程の最適化により高しきい値電圧と低オン抵抗を両立し、ゲート負バイアス 回路を削減※7
    • ・電流制限抵抗付きBSD※8 内蔵により、外付け部品数を削減
    • ※6「超小型DIPIPM Ver.6」PSSxxS92x6シリーズなどの超小型パッケージ
    • ※7SiC-MOSFETでは、一般的にオン電圧とオフ電圧の間のしきい値電圧を高くするとオン抵抗も高くなり、電力損失が大きくなる。オン抵抗を低減するためにはゲート負バイアス回路が必要となる
    • ※8Boot-Strap Diode：基準電圧から他の電圧を作り出すブートストラップ回路用の高耐圧用ダイオード

発売の概要

製品名 形名 概要 サンプル価格
（税抜き）		 発売日
超小型フル
SiC DIPIPM		 PSF15S92F6 15A ／ 600V 25,000円 8月17日
お問い合わせ先
三菱電機株式会社　半導体・デバイス第一事業部　パワーデバイス営業部

TEL: （03）3218-3239　FAX: （03）3218-2723

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