ニュースリリース

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2017年1月12日
開発No.1701

増幅器1台で最大動作帯域600MHzをカバー、基地局の小型・低消費電力化に貢献

世界初、次世代移動通信システム向け「超広帯域GaNドハティ増幅器」を開発

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　三菱電機株式会社は、次世代移動通信システム基地局の電力増幅器として、世界で初めて※11台で3GHz以上の複数周波数帯で最大動作帯域600MHzをカバーする「超広帯域GaN※2ドハティ増幅器※3」を開発しました。周波数補償回路を用いて1台あたりの動作帯域を従来の3倍※4に拡大し、急速に大容量化が進む基地局の小型・低消費電力化に貢献します。
　本開発成果の詳細は、Radio & Wireless Week期間中に開催される国際会議PAWR※52017（1月15日〜18日、於：アメリカ・フェニックス）にて発表します。

  • ※12017年1月12日現在（当社調べ）
  • ※2Gallium Nitride：窒化ガリウム
  • ※31936年にW.H.Dohertyによって考案された高効率化技術を用いた増幅器
  • ※4当社調べ
  • ※5Topical Conference on RF/Microwave Power Amplifiers for Wireless and Radio Applications
次世代移動通信システム基地局の増幅器部イメージ図<br>（左図：従来型広帯域ドハティ増幅器を用いた場合、右図：開発した超広帯域GaNドハティ増幅器を用いた場合）

開発の特長

  1. 周波数補償回路により動作帯域を拡大し、基地局の小型化に寄与
    • ・周波数補償回路を従来型ドハティ増幅器へ適用することで高効率な動作を実現し、動作帯域を従来比3倍※4の600MHzまで拡大
    • ・動作帯域の拡大により、1台で複数の周波数帯をカバーすることで、基地局の小型化に寄与
  2. GaNデバイス採用により消費電力を低減、基地局の省エネに貢献
    • ・GaNデバイスに、業界トップクラスの高いドレイン効率を有する「3.5GHz帯移動通信システム基地局用GaN HEMT（MGFS39G38L2）」を採用
    • ・周波数3.0〜3.6GHz（動作帯域600MHz）において、世界最高※1のドレイン効率45.9％以上を達成し、基地局の低消費電力化に貢献
    • ・デジタル歪補償技術を適用し、隣接チャネル漏洩電力比−50dBcの取得に成功

今後の展開

　2017 年度以降、出力電力や周波数が異なる次世代移動通信システム向け増幅器に展開する予定。

お問い合わせ先
三菱電機株式会社　情報技術総合研究所

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