ニュースリリース

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2017年3月1日
半導体No.1702

電源システムの低消費電力化・小型化に貢献

パワー半導体「SiC-SBD」発売のお知らせ

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　三菱電機株式会社は、エアコンや太陽光発電などの電源システムの低消費電力化・小型化に貢献するパワー半導体の新製品として、SiC※1 を用いた「SiC-SBD※2」を3 月1 日から順次発売します。
  • ※1Silicon Carbide：炭化ケイ素
  • ※2Schottky Barrier Diode：半導体と金属の接合部に生じるショットキー障壁を利用したダイオード
SiC-SBD「BD20060T」

SiC-SBD「BD20060T」

SiC-SBD「BD20060S」

SiC-SBD「BD20060S」

新製品の特長

  1. SiC の採用で、低消費電力化・小型化に貢献
    • ・SiC を用いることでスイッチング損失が大幅に削減し、電力損失を約21%低減※3
    • ・高速スイッチングが可能となり、リアクトルなど周辺部品の小型化に貢献
    • ※3PFC 回路を内蔵した当社製パワー半導体モジュール「DIPPFCTM」に搭載のSi（シリコン）ダイオ ードとの比較
  2. JBS 構造の採用により、高信頼性に寄与
    • ・pn 接合とショットキー接合を組み合わせたJBS※4 構造を採用
    • ・JBS 構造により高サージ耐量を実現することで、高信頼性に寄与
    • ※4Junction Barrier Schottky

発売の概要

製品名 形名 パッケージ 概要 サンプル価格
（税抜き）		 発売日
SiC-SBD BD20060T TO-220 20A ／ 600V 1,000円 3月1日
BD20060S TO-247 9月1日
（サンプル提供開始日：
3月1日）
お問い合わせ先
三菱電機株式会社　半導体・デバイス第一事業部　パワーデバイス営業部

TEL: （03）3218-3239　FAX: （03）3218-2723

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