リリース全文（PDF：264KB） 三菱電機株式会社は、世界最高※1の電力付加効率を達成した衛星搭載用C帯GaN※2HEMT※3増幅器を開発しましたのでお知らせします。今回の開発により、更新需要で打ち上げが増加する通信衛星に搭載される送信機の省電力化と小型・軽量化への貢献が期待されます。
この開発成果は、IMS 2011※4（2011年6月5日〜10日、米国ボルティモア）で発表する予定です。
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| ※1 | 2011年5月26日時点 当社調べ。衛星搭載用GaN HEMT増幅器において |
| ※2 | Gallium Nitride：窒化ガリウム |
| ※3 | High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ |
| ※4 | International Microwave Symposium for 2011：マイクロ波分野で最大規模の国際学会 |
衛星搭載用C帯GaN HEMT増幅器
主な開発成果
| 1． | 高調波処理回路をGaN基板上のHEMTそれぞれに世界で初めて形成※5
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| 2． | 衛星搭載用C帯GaN HEMT増幅器で世界最高効率67％を実現
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| 3． | 小型・軽量パッケージ
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今後の展開
本開発品を2012年中に製品化するとともに、開発成果を高出力・高効率が必要な移動体通信の基地局用増幅器などにも広く適用していく予定です。
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第ニ部
TEL: (03)3218-4880 FAX: (03)3218-4862
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