2017年12月05日

世界で初めてSiCパワー半導体素子の抵抗要因の影響度を解明（PDF：314KB）

2017年11月22日

パワーデバイス事業説明（PDF：1.9MB）

2017年11月08日

米国Powerex社から三菱電機パワー半導体販売事業を取得

2017年10月04日

「衛星通信地球局用Ka帯GaN HEMT MMIC」発売のお知らせ

2017年09月22日

電力損失が世界最小のSiCパワー半導体素子を開発

2017年09月06日

産業用三菱TFT液晶モジュール「DIAFINE」10.1型WXGAサンプル提供開始

2017年08月30日

「1200V大型DIPIPM Ver.6」ラインアップ拡大のお知らせ

2017年07月05日

レンズ付き638nm赤色高出力半導体レーザー発売のお知らせ

2017年05月19日

世界初、次世代移動通信基地局向け「超高速GaN電源制御増幅器」を開発（PDF：448KB）

2017年05月11日

「HVIGBTモジュールXシリーズ LV100タイプ」発売のお知らせ

2017年05月08日

タッチパネル搭載産業用三菱TFT液晶モジュール「DIAFINE」ラインアップ拡大

2017年04月20日

半透過型産業用三菱TFT液晶モジュール「DIAFINE」ラインアップ拡大のお知らせ

2017年04月10日

インテリジェントGUI搭載TFT液晶モジュール「DIAFINE」新製品の発売

2017年04月05日

「HVIGBTモジュールXシリーズ」ラインアップ拡大のお知らせ

2017年03月15日

「100Gbps小型集積APD ROSA」サンプル提供開始のお知らせ

2017年03月09日

「HEV用超小型SiCインバーター」を開発

2017年03月01日

パワー半導体「SiC-SBD」発売のお知らせ

2017年02月22日

三菱TFT液晶モジュール「DIAFINE」タフネスシリーズラインアップ拡大のお知らせ

2017年01月12日

世界初、次世代移動通信システム向け「超広帯域GaNドハティ増幅器」を開発